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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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-30a -60V P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DH400P06LD TO-252B

Diese P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
Verfügbarkeit:
Menge:

-30a -60V P -Kanal -Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konverter 

● Elektrowerkzeuge


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-60V 22m Ω -30a



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