brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » -30V~-100V P MOS » MOSFET MOSFET DH400P06LD TO-252B -30A -60V Režim zesílení P-kanálu

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH400P06LD TO-252B

Tyto výkonové mosfety v režimu vylepšení P-kanálu využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS.
Dostupnost:
Množství:

-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonového MOSFETu


1 Popis

Tyto výkonové mosfety v režimu vylepšení P-kanálu využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● Test 100% ΔVDS 


3 Aplikace

● Aplikace pro přepínání napájení 

● DC-DC měniče 

● Elektrické nářadí


VDSS RDS(zapnuto) (TYP) ID 
-60V 22 mΩ -30A



Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky