-30A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH400P06LD TO-252B

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da -30 A -60 V

1 Descrizione

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento del canale P utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Bassa resistenza 

● Carica di gate bassa 

● Commutazione rapida

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni

● Applicazioni di commutazione di potenza 

● Convertitori CC-CC 

● Utensili elettrici

VDSS	RDS(acceso) (TIPO)	ID
-60V	22 mΩ	-30A