ประตู
มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » สินค้า » มอสเฟต » -30V~-100V P มอส » -30A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH400P06LD TO-252B

กำลังโหลด

แบ่งปันไปที่:
ปุ่มแชร์เฟสบุ๊ค
ปุ่มแชร์ทวิตเตอร์
ปุ่มแชร์ไลน์
ปุ่มแชร์วีแชท
ปุ่มแชร์ของ LinkedIn
ปุ่มแชร์ Pinterest
ปุ่มแชร์ Whatsapp
แชร์ปุ่มแชร์นี้

-30A -60V โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-channel MOSFET DH400P06LD TO-252B

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด P-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
มีจำหน่าย:
จำนวน:

-30A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 คำอธิบาย

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด P-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 


2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100% 


3 การใช้งาน

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน 

● ตัวแปลง DC-DC 

● เครื่องมือไฟฟ้า


วีดีเอสเอส RDS (บน) (ประเภท) บัตรประจำตัวประชาชน 
-60V 22mΩ -30A



ก่อนหน้า: 
ต่อไป: 
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับอนาคต
    สมัครรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับข้อมูลอัปเดตตรงถึงกล่องจดหมายของคุณ