porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » -30V~-100V P MOS » Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 75A 100V Fuqia MOSFET DH100P70 TO-220C

ngarkim

Shpërndaje në:
butoni i ndarjes së facebook
butoni i ndarjes në Twitter
butoni i ndarjes së linjës
butoni i ndarjes së wechat
butoni i ndarjes së linkedin
butoni i ndarjes pinterest
butoni i ndarjes së whatsapp
Ndani këtë buton të ndarjes

Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 75A 100 V Fuqia MOSFET DH100P70 TO-220C

Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 75A 100V Fuqia MOSFET
Disponueshmëria:
Sasia:

80A 100V P-kanali i përmirësimit MOSFET i fuqisë


1 Përshkrimi

Këto vdmosfet të përmirësuara me kanal P, të përdorura teknologji dhe dizajn të avancuar të kanaleve, ofrojnë Rdson të shkëlqyer me ngarkesë të ulët të portës. Që përputhet me standardin RoHS. 


2 Karakteristikat 

● Ndërrimi i shpejtë 

● Rezistencë e ulët 

● Ngarkesa e ulët e portës 

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt 

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm 

● Test 100% ΔVDS 


3 Aplikacionet 

● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë. 

● Pajisje portative dhe sisteme me bateri 

● Aplikimi i alarmit


VDSS RDS(aktiv) (TYP) ID 
-100 V 22 mΩ -80 A



E mëparshme: 
Tjetër: 
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin