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75A 100V P-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH100P70 bis 220C

75A 100V P-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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80A 100V P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs, die fortschrittliche Grabentechnologie und -gestaltung verwendeten, sorgen für hervorragende RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● tragbare Geräte und batteriebetriebene Systeme 

● Alarmanwendung


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-100V 22m Ω -80a



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