80A 100V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullanılan bu P-kanalı geliştirilmiş vdmosfet'ler, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson sağlar. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Düşük direnç
● Düşük kapı ücreti
● Düşük ters transfer kapasitansları
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.
● Taşınabilir ekipman ve pille çalışan sistemler
● Uyarıcı uygulaması
| VDSS |
RDS(açık) (TİP) |
İD |
| -100V |
22mΩ |
-80A |