-100V/69mΩ/-20A P-MOSFET DH100P20D TO-252B

-100V/69mΩ/-20A P-MOSFET

1 Përshkrimi

Këta mosfet me fuqi të modalitetit të përmirësimit të kanalit P përdorën dizajn të avancuar të teknologjisë së kanalit, siguruan Rdson të shkëlqyeshëm dhe ngarkesë të ulët të portës. Që përputhet me standardin RoHS. 

2 Karakteristikat 

• Rezistencë e ulët

• Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt 

• Testi 100% i energjisë së ortekëve me impuls të vetëm 

• Testi 100% ΔVDS 

• Veshje pa pb / pa halogjen / në përputhje me RoHS 

Aplikacionet 

• Ndërprerësi i ngarkesës

VDSS	RDS(aktiv) (TYP)	ID
-100 V	69 mΩ	-20 A