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-100V/69mΩ/-20A P-MOSFET DH100P20D TO-252B

Diese Leistungs-Mosfets im P-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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-100V/69mΩ/-20A P-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Leistungs-Mosfets im P-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

• Geringer Widerstand

• Geringe Rückübertragungskapazitäten 

• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

• 100 % ΔVDS-Test 

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform 


Anwendungen 

• Lastschalter


VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-100V 69 mΩ -20A



herunterladen Gerätespezifikation DH100P30AD.pdf

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