-100V/69mΩ/-20A P-MOSFET DH100P20D TO-252B

-100V/69mΩ/-20A P-MOSFET

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

• Baja resistencia

• Bajas capacitancias de transferencia inversa 

• Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

• Prueba 100% ΔVDS 

• Revestimiento libre de Pb/libre de halógenos/cumple con RoHS 

Aplicaciones 

• Interruptor de carga

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
-100V	69mΩ	-20A