-100 V/69 mΩ/-20 A P-MOSFET
1 Descriptif
Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal P utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
• Faible résistance
• Faibles capacités de transfert inverse
• Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
• Test 100 % ΔVDS
• Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS
Applications
• Interrupteur de charge
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| -100V |
69 mΩ |
-20A |