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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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-100V/69mΩ/-20A P-MOSFET DH100P20D TO-252B

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal P utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

-100 V/69 mΩ/-20 A P-MOSFET


1 Descriptif

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal P utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

• Faible résistance

• Faibles capacités de transfert inverse 

• Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

• Test 100 % ΔVDS 

• Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS 


Applications 

• Interrupteur de charge


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT 
-100V 69 mΩ -20A



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