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-30V~-100V P MOS

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-30A -60V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P ao comparar diferentes tipos de diodos, como diodos de junção PN padrão versus diodos Schottky, que dependem fortemente de junções metal-semicondutoras e, portanto, operam com um perfil de função de trabalho diferente. PARA-252B -60V -30A Especificação do dispositivo DH300P06.pdf
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
-30A -100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD PARA-252B -100V -30A Especificação do dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3 * 3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Especificação do dispositivo DH500P06R Rev.1.0.pdf
15A 40V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 PARA-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
DH100P20D
10A 30V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V POP-8 30V 10A Especificação do dispositivo DH160P03V Rev.1.0.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento do canal P 75A 100V DH100P70 TO-220C 100V 80A Especificação do dispositivo DH100P70.pdf
13A 100V Modo de aprimoramento de canal P Potência MOSFET18P10D TO-252B 18P10D PARA-252B -100V -13A Especificação do dispositivo 18P10.pdf
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D PARA-252B -100V -40A Especificação do dispositivo DH100P40D.pdf
35A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P35 To-220C DH100P35 TO-220C 100V 35A Especificação do dispositivo DH100P35.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D PARA-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D PARA-252B -100V -20A Especificação do dispositivo DH100P20.pdf
-6A -100V Modo de aprimoramento de canal P Potência MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V POP-8 -100V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D PARA-252B -100V -30A Especificação do dispositivo DH100P28.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Especificação do dispositivo DHP50P04 (DFN56) (1).pdf
25A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D PARA-252B -100V -25A Especificação do dispositivo DH100P25.pdf
18A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Especificação do dispositivo DH100P18 B79.pdf
-30A -100V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30A Especificação do dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento do canal P 140A 30V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

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