未命名 (1) (8) (1)
portão
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos » MOSFET » -30V ~ -100V P MOS » 13A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET18P10D TO-252B

carregando

Compartilhar para:
Botão de compartilhamento do Facebook
Botão de compartilhamento do Twitter
Botão de compartilhamento de linha
Botão de compartilhamento do WeChat
Botão de compartilhamento do LinkedIn
Botão de compartilhamento do Pinterest
Botão de compartilhamento do WhatsApp
Botão de compartilhamento de sharethis

13A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET18P10D TO-252B

13A 100V Modo de aprimoramento do canal P
Disponibilidade MOSFET:
Quantidade:
Pergunte Adicione à cesta

13A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET


1 Descrição

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal P usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.


2 recursos

● baixa resistência 

● Baixa carga do portão 

● Comutação rápida 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS


3 aplicações 

● Aplicativos de comutação de energia 

● Sistema de gerenciamento de inversor 

● Ferramentas elétricas 

● Eletrônica automotiva


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA 
-100V 165mΩ -13a



download Dispositivo 18p10 especificação.pdf

Anterior: 
Próximo: 
13A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Inscreva -se para a nossa newsletter
  • Prepare
    ​
    Enviar
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com