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13A 100V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET18P10D TO 252B

13A 100V Modo de mejora del canal P Power MOSFET
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13A 100V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET


1 descripción

Estos Mosfets de potencia de modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.


2 características

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Sistema de gestión de inversores 

● Herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN 
-100V 165mΩ -13a



descargar Dispositivo 18P10 Especificación.PDF

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