13A 100V Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET18P10D TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 13 A y 100 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
-100V	165mΩ	-13A