ความพร้อมใช้งาน: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
18P10D
wxdh
ถึง -252b
-100V
-13a
13A 100V P-channel Enhancement Power MOSFET
1 คำอธิบาย
P-Channel Mosfets โหมด P-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีสนามเพลาะขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
●ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์
●เครื่องมือไฟฟ้า
●อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
-100V | 165mΩ | -13a |
13A 100V P-channel Enhancement Power MOSFET
1 คำอธิบาย
P-Channel Mosfets โหมด P-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีสนามเพลาะขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
●ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์
●เครื่องมือไฟฟ้า
●อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
-100V | 165mΩ | -13a |