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13a 100V P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET18P10D bis 252B

13a 100V P-Kanalverbesserungsmodus LeistungsmOSFET-
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13a 100V P-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese Power-MOSFETs des P-Kanal-Verbesserungsmodus verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrische Werkzeuge 

● Automobilelektronik


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-100V 165 mΩ -13a



herunterladen Gerät 18p10 Spezifikation.pdf

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13a 100V P-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
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