未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tukaj: Doma » Izdelki » Mosfet » -30V ~ -100V p mos » 13a 100V P-kanalni način izboljšanja moči MOSFET18P10D TO-252B

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

13A 100V Način izboljšanja P-kanala Power MOSFET18P10D TO-252B

13A 100V Način izboljšanja P-kanala Power MOSFET
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

13A 100V P-kanalni način izboljšanja moči MOSFET


1 opis

Ta način izboljšanja P-kanala Power MOSFETS je uporabljal napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotavljal odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS.


2 značilnosti

● nizko odpornost 

● Nizka naboj vrat 

● Hitro preklapljanje 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test


3 aplikacije 

● Aplikacije za preklop napajanja 

● Sistem upravljanja pretvornikov 

● Električna orodja 

● Avtomobilska elektronika


VDS RDS (ON) (Typ) Id 
-100V 165mΩ -13a



Prenos Naprava 18p10 Specifikacija.pdf

Prejšnji: 
Naslednji: 
13A 100V P-kanalni način izboljšanja moči MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM