未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » -30V ~ -100V P MOS 13A 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET18P10D TO-252B

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

13A 100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET18P10D TO-252B

13A 100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET
tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg till i korgen

13A 100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET


1 Beskrivning

Dessa P-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.


2 funktioner

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Snabbbrytning 

● Låg omvänd överföringskapacitanser

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test


3 applikationer 

● Power Switching -applikationer 

● Inverterhanteringssystem 

● Elektriska verktyg 

● Automotive Electronics


Vds Rds (on) (typ) Id 
-100V 165mΩ -13a



ladda ner Enhet 18p10 specifikation.pdf

Tidigare: 
Nästa: 
13A 100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com