12A 650V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET 12N65 TO-220C

12A 650V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET

1 Opis

Ovi N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak vodljivosti, poboljšava izvedbu prebacivanja i povećava energiju lavine. Što je u skladu s RoHS standardom. 

2 Značajke 

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšana sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤0,8Ω) 

● Nizak naboj vrata (tip: 32 nC) 

● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (tip: 7,0 pF) 

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa 

● 100% ΔVDS test 

3 Prijave 

● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera

VDSS	RDS (uključen) (TYP)	ID
650V	0,66 Ω	12A