未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ovdje ste: Dom » Proizvodi » » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 12A 650V N-kanal Način poboljšanja Mosfet 12N65 TO-220C

učitavanje

Podijeli na:
Gumb za dijeljenje Facebooka
Gumb za dijeljenje na Twitteru
gumb za dijeljenje linija
gumb za dijeljenje weChat
LinkedIn gumb za dijeljenje
Gumb za dijeljenje Pinterest -a
Gumb za dijeljenje Whatsappa
gumb za dijeljenje Sharethis

12A 650V N-kanal Način poboljšanja Power Mosfet 12N65 TO-220C

Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava
performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom.
Dostupnost:
količina:
Raspitati se Dodaj u koš

12A 650V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet


1 Opis

Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom. 


2 značajke 

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšala sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤0,8Ω) 

● Naboj s malim vratima (TIP: 32NC) 

● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 7.0PF) 

● 100% pojedinačni test energetike pulsa 

● 100% ΔVDS test 


3 prijave 

● Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera

VDSS  RDS (ON) （Tip) Osobna iskaznica 
650V 0,66 Ω 12a



Prethodno: 
Sljedeći: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš bilten
  • Pripremite se za buduću
    prijavu za naš bilten kako biste dobili ažuriranja izravno u vašu pristiglu poštu
    Podnijeti
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by LEADONG.com