12A 650V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 12N65 TO-220C

Výkonový MOSFET 12A 650V N-channel Mode Enhancement Mode

1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (Rdson≤0,8Ω) 

● Nízke nabitie brány (Typ: 32 nC) 

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 7,0 pF) 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra

VDSS	RDS (zapnuté) (TYP)	ID
650 V	0,66 Ω	12A