未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

400V-1500V N MOS

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
4,8A 650V N-kanals Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A DHFSJ5N65_Datumblad_V1.0.pdf
12A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
12A 700V N-kanals Super Junction Power MOSFET DJF360N70
85A 150V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Enhet DHS110N15D Specifikation.pdf
40A 100V P-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100V 40A Enhet DH100P40 Specification.pdf
4A 600V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
-10A -40V P-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10A Enhet+DH170P04V+Specifikation.pdf
11A 650V N-kanals Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650V 11A Enhet DHSJ11N65Specifikation(S).pdf
50A 650V trenchstop isolerad grind bipolär transistor G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
42A 600V N-kanals Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600V 42A Enhet DJC070N60F Specifikation.pdf
13A 650V N-kanal Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650V 13A Enhet DHSJ13N65 Specification.pdf
5A 800V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
31A 600V N-kanals Super Junction Power MOSFET DJC099N60F/DJF099N60F
150A 150V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datablad_V2.0 (1).pdf
D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
40A 1200V N-kanal SiC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200V 40A Enhet DCC075M120G2C Specification.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
60A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60V 60A Enhetsspecifikation DHD015N06(低开启电压50N06）.pdf
7A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
20A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com