10 A 600 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N60 TO-220F

10 A 600 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. TO-220F bietet eine Isolationsspannung von 2000 V RMS von allen drei Anschlüssen zum externen Kühlkörper. Die TO-220F-Serie entspricht den UL-Standards (Aktenzeichen: E252906). 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● ESD-verbesserte Fähigkeit 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤9,0Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 32 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 7,5 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
600V	0,7 Ω	10A