10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F10N60 TO-220F

10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և մեծացնում ավալանշի էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: TO-220F-ն ապահովում է 2000V RMS մեկուսացման լարում բոլոր երեք տերմինալներից մինչև արտաքին ջերմատախտակ: TO-220F շարքերը համապատասխանում են UL ստանդարտներին (Ֆայլի հղում՝ E252906): 

2 Հատկանիշներ

● Արագ միացում 

● ESD բարելավված կարողություն 

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤9.0Ω) 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 32nC) 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 7,5 pF) 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:

VDSS	RDS (միացված) (TYP)	ID
600 Վ	0,7 Ω	10 Ա