10A 600V N-canali Enhancement Modus Power MOSFET F10N60 TO-220F

10A 600V N-canale amplificatio Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canale vdmosfets aucta, a technologia plani auto-aligna fit quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et NIVIS energiam augere. Quod congruit cum RoHS vexillum. TO-220F praebet intentionem insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus calorum externorum. TO-220F series cum UL signis observare (File ref:E252906). 

2 Features

Fast commutatione 

ESD melius facultatem 

● Minimum resistente (Rdson≤9.0Ω) 

Minimum crimen (Typ: 32nC) 

Minimum contra facultates translationis (Typ: 7.5pF) 

C% unius pulsus NIVIS industria test

C% VDS test 

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
600V	0.7 Ω	10A