MOSFET F10N60 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 600V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 10 A y 600 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS. TO-220F proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales al disipador térmico externo. La serie TO-220F cumple con los estándares UL (Ref. expediente:E252906). 

2 características

● Cambio rápido 

● Capacidad mejorada de ESD 

● Baja resistencia (Rdson≤9.0Ω) 

● Carga onmutación más rápida minimiza la pérdida de energía, pero puede introducir interferencias electromagnéticas (EMI) si no se gestiona adecuadamente. 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 7,5 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia. 

● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
600V	0,7 Ω	10A