ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 400-1500 В N MOS » 10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F10N60 TO-220F

завантаження

Поділитися з:
кнопка спільного доступу до Facebook
кнопка спільного доступу до Twitter
кнопка спільного доступу до лінії
кнопка спільного доступу до wechat
кнопка спільного доступу в Linkedin
кнопка спільного доступу на pinterest
кнопка спільного доступу до WhatsApp
поділитися цією кнопкою спільного доступу

10A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F10N60 TO-220F

10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Наявність:
Кількість:

10A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET


1 Опис

Ці покращені N-канальні vdmosfet, отримані за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS. TO-220F забезпечує ізоляційну напругу 2000 В RMS від усіх трьох клем до зовнішнього радіатора. Серія TO-220F відповідає стандартам UL (посилання файлу: E252906). 


2 Особливості

● Швидке перемикання 

● Покращені можливості ESD 

● Низький опір (Rdson≤9,0Ω) 

● Низький заряд затвора (тип: 32nC) 

● Низька ємність зворотного перенесення (тип: 7,5 пФ) 

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини

● 100% тест ΔVDS 


3 Додатки

● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності. 

● Схема вимикача живлення електронного баласту та адаптера.


VDSS  RDS (увімкнено) (TYP) ID 
600В 0,7 Ом 10А



Попередній: 
далі: 
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку