10A 600V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET F10N60 TO-220F

10A 600V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS TO-220F ให้แรงดันไฟฟ้าของฉนวนที่ 2000V RMS จากขั้วต่อทั้งสามไปยังฮีทซิงค์ภายนอก ซีรีส์ TO-220F เป็นไปตามมาตรฐาน UL (ไฟล์อ้างอิง: E252906) 

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความสามารถที่ได้รับการปรับปรุง ESD 

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤9.0Ω) 

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 32nC) 

● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 7.5pF) 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน

● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

● วงจรสวิตช์เปิด/ปิดของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (เปิด) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
600V	0.7 โอห์ม	10เอ