10A 600V N채널 강화 모드 전력 MOSFET
1 설명
이러한 N 채널 강화 vdmosfets는 전도 손실을 줄이고 스위칭 성능을 향상시키며 애벌런치 에너지를 향상시키는 자체 정렬 평면 기술을 통해 얻어집니다. RoHS 표준을 준수합니다. TO-220F는 3개 단자 모두에서 외부 방열판까지 2000V RMS 정격 절연 전압을 제공합니다. TO-220F 시리즈는 UL 표준(파일 참조:E252906)을 준수합니다.
2 특징
● 빠른 전환
● ESD 성능 향상
● 낮은 저항(Rdson≤9.0Ω)
● 낮은 게이트 전하(Typ: 32nC)
● 낮은 역방향 전송 정전용량(일반: 7.5pF)
● 100% 단일 펄스 애벌런치 에너지 테스트
● 100% ΔVDS 테스트
3 응용
● 시스템 소형화 및 고효율화를 위해 다양한 전원 스위칭 회로에 사용됩니다.
● 전자안정기 및 어댑터의 전원 스위치 회로.
| VDSS |
RDS(온)(일반) |
ID |
| 600V |
0.7Ω |
10A |