värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 10A 600V N-kanali parendamisrežiimi Power Mosfet F10N60 TO-220F

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

10A 600 V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET F10N60 TO-220F

10A 600 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET
saadavus:
kogus:

10A 600V N-kanali parendamise režiimi mootors MOSFET


1 kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandavad lülitus jõudlust ja suurendavad laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. TO-220F pakub isolatsioonipinget, mis on hinnatud 2000 V RMS-ist kõigist kolmest klemmist kuni välise jahutusradiaiseini. TO-220F-seeria vastab UL-i standarditele (faili viide: E252906). 


2 funktsiooni

● Kiire vahetamine 

● ESD täiustatud võimekus 

● Madal takistus (RDSON≤9,0Ω) 

● Madal väravalaeng (tüüp: 32nc) 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 7,5 pf) 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti

● 100% ΔVDS -test 


3 rakendust

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates. 

● Elektronballasti ja adapteri toitelüliti vooluring.


VDSS  RDS (ON) (TÜÜP) Isikutunnistus 
600 V 0,7 Ω 10A



Eelmine: 
Järgmine: 
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti