10A 600V Njia ya Uboreshaji wa N-channel MOSFET F10N60 TO-220F

10A 600V N-Chaneli ya Uboreshaji wa Njia ya Nguvu ya MOSFET

1 Maelezo

Vdmosfets hizi za N-channel zilizoboreshwa, hupatikana kwa teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotevu wa upitishaji, kuboresha utendakazi wa kubadili na kuongeza nishati ya maporomoko ya theluji. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. TO-220F hutoa voltage ya insulation iliyokadiriwa katika 2000V RMS kutoka vituo vyote vitatu hadi heatsink ya nje. Mfululizo wa TO-220F unatii viwango vya UL (Faili ref:E252906). 

2 Sifa

● Kubadilisha haraka 

● Uwezo wa ESD uliboreshwa 

● Upinzani mdogo (Rdson≤9.0Ω) 

● Chaji ya chini ya lango (Aina: 32nC) 

● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa kinyume (Aina: 7.5pF) 

● Jaribio la 100% la nishati ya mpigo mmoja

● Jaribio la ΔVDS la 100%. 

3 Maombi

● Hutumika katika saketi mbalimbali za kubadili nishati kwa ajili ya uboreshaji mdogo wa mfumo na ufanisi wa juu zaidi. 

● Sakiti ya kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta.

VDSS	RDS(imewashwa)(TYP)	ID
600V	0.7 Ω	10A