MOSFET di potenza F10N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 600 V

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 10 A 600 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS. TO-220F fornisce una tensione di isolamento nominale di 2000 V RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL (rif. file: E252906). 

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida 

● Funzionalità ESD migliorata 

● Bassa resistenza (Rdson ≤ 9,0 Ω) 

● Carica gate bassa (tip.: 32nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 7,5 pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore.

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
600 V	0,7 Ω	10A