10A 600V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F10N60 TO-220F

10A 600V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade planarteknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. TO-220F ger isoleringsspänning klassad till 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns. TO-220F-serien överensstämmer med UL-standarder (Referens:E252906). 

2 funktioner

● Snabb växling 

● ESD förbättrad kapacitet 

● Lågt motstånd (Rdson≤9.0Ω) 

● Låg grindladdning (typ: 32nC) 

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 7,5pF) 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter.

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
600V	0,7 Ω	10A