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400V-1500V N MOS

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Transistor de silicio epitaxial NPN 13003G5 TO-126 13003G5
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MOSFET de potencia 8N50 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 500V 8N50 A-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET F10N50 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 500V F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
 MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B A-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
MOSFET de potencia 7N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 7A 650V 7N65 A-220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia 15N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 15A 650V 15N65 A-220C 650V 15A
MOSFET F7N70 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 7A 700V F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 A-220C 650V 17A Especificación del dispositivo DHSJ17N65.pdf
MOSFET F10N60 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 600V F10N60 TO-220F 600V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
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MOSFET de potencia F12N65 del modo de mejora del canal N de 12A 650V F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
 Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 10A 600V 10N60 10N60

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