MOSFET de potencia 740 TO-220C del modo de mejora del canal N de 10A 400V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 10 A y 400 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resiatancia en estado (Rdson≤0.55Ω)

● Carga de puerta baja (tipo: 23 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 8pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia. 

● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
400V	0,44Ω	10A