MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 10A 400V 740 TO-220C

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 10 A 400 V

1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Faible résistance à l'état passant (Rdson≤0,55Ω)

● Faible charge de grille (type : 23 nC) 

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 8 pF)

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

3 candidatures 

● Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité supérieure. 

● Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
400V	0,44Ω	10A