MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 10A 400V
1 Descrição
Esses vdmosfets aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Baixa resistência no estado (Rdson≤0,55Ω)
● Carga de porta baixa (Tipo: 23nC)
● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 8pF)
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.
● Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e carregador
| VDSS |
RDS(ligado)(TYP) |
EU IA |
| 400 V |
0,44Ω |
10A |