10A 400V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 740 bis 220c

10A 400V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig auf dem Zustand (RDSON ≤ 0,55 Ω)

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 23NC) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 8PF)

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschalterkreis von Adapter und Ladegerät