10 A 400 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 740 TO-220C

10 A 400 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand (Rdson ≤ 0,55 Ω)

● Geringe Gate-Ladung (typisch: 23 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 8 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
400V	0,44 Ω	10A