10A 400V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 740 TO-220C

10A 400V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

1 説明

これらの N チャネル強化 vdmosfet は、伝導損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。 RoHS規格に準拠しています。 

2 特徴 

●高速スイッチング 

● 低オン抵抗(Rdson≦0.55Ω)

● 低いゲート電荷(Typ: 23nC) 

●低い逆伝達容量(Typ:8pF)

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験 

● 100% ΔVDS テスト 

3 アプリケーション 

●システムの小型化、高効率化を図るため、各種電源スイッチング回路に使用されます。 

●アダプターと充電器の電源スイッチ回路

VDSS	RDS(on)（TYP）	ID
400V	0.44Ω	10A