10A 400V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 740 TO-220C

10A 400V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük durum direnci (Rdson≤0,55Ω)

● Düşük geçit şarjı (Tip: 23nC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 8pF)

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi

VDSS	RDS(açık)（TYP)	İD
400V	0,44Ω	10A