MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 10 A 400 V
1 Descrizione
Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Commutazione rapida
● Bassa resistenza allo stato attivo (Rdson≤0,55Ω)
● Carica gate bassa (tip.: 23nC)
● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 8pF)
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.
● Circuito dell'interruttore di alimentazione dell'adattatore e del caricabatterie
| VDSS |
RDS(acceso)(TIPO) |
ID |
| 400 V |
0,44Ω |
10A |