8A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 8N60 TO-220C

8A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● ESD-verbesserte Fähigkeit 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤1,2Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 24 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 5,5 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höherPAKET direkt zu einem niedrigen Preis und in hoher Qualität. 

● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
600V	0,98 Ω	8A