8A 600V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 8N60 bis 220c

8A 600V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● ESD verbesserte die Fähigkeit 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 1,2 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 24 nc) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 5.5PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschalterkreis von Elektronenballast und Adapter.