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9A 650V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET D9N65 bis 252B

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert
und die Lawinenenergie verbessert.

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Modell:
D9N65
Marke:
Wxdh
Modell:
D9N65
Paket:
To-252b
Datenblatt:
英文版 D9N65 技术规格书 (1) .pdf
V:
650 V
A:
9a

Produktbeschreibung

9a 650 V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. TO-220F liefert eine Isolationsspannung von 2000 V RMS von allen drei Klemmen bis hin zu einem externen Kühlkörper. TO-220F-Serie entsprechen den UL-Standards (Datei Ref: E252906).

2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● ESD verbesserte die Fähigkeit

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 1,3 Ω)

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 22,4 NC)

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 6.4PF)

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet.

● Stromschalterkreis von Elektronenballast und Adapter.

VDSS	RDS (ON) （Typ)	AUSWEIS
650 V	1,05 Ω	9a

Mosfet