9A 650V N-channel Enhancing Mode Power MOSFET D9N65 TO-252B

9A 650V N-saluran Mod Peningkatan Kuasa MOSFET

1 Penerangan

Vdmosfet dipertingkatkan saluran-N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS. TO-220F menyediakan voltan penebat berkadar pada 2000V RMS daripada ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran. Siri TO-220F mematuhi piawaian UL (Ruj fail:E252906). 

2 Ciri

● Penukaran pantas 

● ESD meningkatkan keupayaan

● Rintangan rendah (Rdson≤1.3Ω) 

● Caj pintu rendah (Jenis: 22.4nC)

● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (Jenis: 6.4pF) 

● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal 

● 100% ujian ΔVDS 

3 Aplikasi

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi. 

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	1.05Ω	9A