9A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET D9N65 TO-252B

9A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur. TO-220F, üç terminalin tümünden harici soğutucuya 2000V RMS değerinde yalıtım voltajı sağlar. TO-220F serisi UL standartlarına uygundur (Dosya ref:E252906). 

2 Özellikler

● Hızlı geçiş 

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi

● Düşük direnç (Rdson≤1,3Ω) 

● Düşük geçit şarjı (Tip: 22,4nC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 6,4pF) 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)（TYP)	İD
650V	1.05Ω	9A