MOSFET di potenza D9N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 9 A 650 V

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 9 A 650 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS. TO-220F fornisce una tensione di isolamento nominale di 2000 V RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL (rif. file: E252906). 

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida 

● Funzionalità ESD migliorata

● Bassa resistenza (Rdson ≤ 1,3 Ω) 

● Carica gate bassa (tipicamente: 22,4 nC)

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 6,4 pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore.

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
650 V	1,05Ω	9A