9A 650V N-சேனல் மேம்படுத்தல் பயன்முறை பவர் MOSFET D9N65 TO-252B

9A 650V N-சேனல் மேம்படுத்தல் பயன்முறை பவர் MOSFET

1 விளக்கம்

இந்த N-சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட vdmosfets, கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கும், மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்தும் மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்தும் சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகிறது. இது RoHS தரத்துடன் ஒத்துப்போகிறது. TO-220F ஆனது 2000V RMS இல் மூன்று டெர்மினல்களில் இருந்து வெளிப்புற ஹீட்சிங்க் வரையிலான காப்பு மின்னழுத்தத்தை வழங்குகிறது. TO-220F தொடர் UL தரநிலைகளுடன் இணங்குகிறது (கோப்பு குறிப்பு:E252906). 

2 அம்சங்கள்

● வேகமாக மாறுதல் 

● ESD மேம்படுத்தப்பட்ட திறன்

● குறைந்த எதிர்ப்பு (Rdson≤1.3Ω) 

● குறைந்த கேட் கட்டணம் (வகை: 22.4nC)

● குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவுகள் (வகை: 6.4pF) 

● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை 

● 100% ΔVDS சோதனை 

3 விண்ணப்பங்கள்

● சிஸ்டம் மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனுக்காக பல்வேறு பவர் ஸ்விட்சிங் சர்க்யூட்டில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. 

● எலக்ட்ரான் பேலஸ்ட் மற்றும் அடாப்டரின் பவர் சுவிட்ச் சர்க்யூட்.

வி.டி.எஸ்.எஸ்	RDS(ஆன்) (TYP)	ஐடி
650V	1.05Ω	9A