Razpoložljivost: | |
---|---|
Količina: | |
D9N65
WXDH
D9N65
Do-252b
650V
9A
9A 650V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS. TO-220F zagotavlja izolacijsko napetost, ki je bila ocenjena na 2000 V RMS od vseh treh terminalov do zunanjega ogrevanja. Serija TO-220F je v skladu s standardi UL (datoteka Ref: E252906).
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤1,3Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 22.4NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 6.4pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | Rds (on) (typ) | Id |
650V | 1,05Ω | 9A |
9A 650V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS. TO-220F zagotavlja izolacijsko napetost, ki je bila ocenjena na 2000 V RMS od vseh treh terminalov do zunanjega ogrevanja. Serija TO-220F je v skladu s standardi UL (datoteka Ref: E252906).
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤1,3Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 22.4NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 6.4pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | Rds (on) (typ) | Id |
650V | 1,05Ω | 9A |