9A 650V N-kanalni način izboljšave MOSFET D9N65 TO-252B

9A 650V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET

1 Opis

Ti N-kanalni izboljšani vdmosfeti so pridobljeni s samoporavnano planarno tehnologijo, ki zmanjša izgubo prevodnosti, izboljša zmogljivost preklapljanja in poveča energijo plazu. Kar je v skladu s standardom RoHS. TO-220F zagotavlja izolacijsko napetost ocenjeno na 2000 V RMS od vseh treh sponk do zunanjega hladilnika. Serija TO-220F je skladna s standardi UL (ref. datoteke: E252906). 

2 Lastnosti

● Hitro preklapljanje 

● Izboljšana zmogljivost ESD

● Nizek upor (Rdson≤1,3Ω) 

● Nizek naboj vrat (tip: 22,4 nC)

● Nizka kapacitivnost povratnega prenosa (tip: 6,4 pF) 

● 100 % preizkus energije plazovnega plazu z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test 

3 Aplikacije

● Uporablja se v različnih preklopnih tokokrogih za miniaturizacijo sistema in večjo učinkovitost. 

● Vezje električnega stikala elektronskega balasta in adapterja.

VDSS	RDS (vklopljeno)（TYP)	ID
650V	1,05Ω	9A