9A 650V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET D9N65 TO-252B

9A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. Το TO-220F παρέχει ονομαστική τάση μόνωσης στα 2000V RMS και από τους τρεις ακροδέκτες προς την εξωτερική ψύκτρα. Η σειρά TO-220F συμμορφώνεται με τα πρότυπα UL (Αναφ. αρχείου: E252906). 

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Βελτιωμένη ικανότητα ESD

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤1,3Ω) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 22,4nC)

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 6,4pF) 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση. 

● Κύκλωμα διακόπτη ισχύος έρματος ηλεκτρονίων και προσαρμογέα.

VDSS	RDS(ενεργό) (TYP)	ταυτότητα
650V	1,05Ω	9Α