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Epitaktischer Siliziumtransistor NPN 13003G5 TO-126

Epitaktischer Siliziumtransistor NPN
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  • 13003G5

  • WXDH

Epitaktischer Siliziumtransistor NPN


1 Beschreibung

Diese Geräte sind für induktive Schaltkreise mit hoher Spannung und hoher Geschwindigkeit konzipiert, bei denen die Abfallzeit von entscheidender Bedeutung ist. Sie eignen sich besonders für 115- und 220-V-SWITCHMODE-Anwendungen 


2 Funktionen

  •  Hochstromausgang bis zu 1,0 A 

  •  Niedrige Sättigungsspannung

  •  Hochspannung 

  •  Hohe Zuverlässigkeit 


3 Anwendungen

  •  Schaltregler 

  •  Wechselrichter 

  •  Motorsteuerung 

  •  Magnet-/Relaistreiber und Ablenkschaltungen


BVCB BVCE VCESAT (Max) IC 
700V 480V 0,6V 1,0A



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