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Epitaxiale Siliziumtransistor NPN 13003G5 TO-126

Epitaxiale Siliziumtransistor NPN
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  • 13003G5

  • Wxdh

Epitaxiale Siliziumtransistor NPN


1 Beschreibung

Diese Geräte sind für hoch-, Spannung mit hoher Geschwindigkeitsschaltschaltschaltung ausgelegt, in denen die Sturzzeit kritisch ist. Sie eignen sich besonders für 115- und 220 V SwitchMode -Anwendungen 


2 Merkmale

  •  Hochstromausgang bis zu 1,0a 

  •  Niedrige Sättigungsspannung

  •  Hochspannung 

  •  Hohe Zuverlässigkeit 


3 Anwendungen

  •  Regulierungsbehörden wechseln 

  •  Wechselrichter 

  •  Motorkontrollen 

  •  Magnet-/Relais -Treiber und Ablenkungsschaltungen


BVCB Bvce Vcesat （max) IC 
700V 480V 0,6 V 1.0a



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