Transistor de Silício Epitaxial NPN
1 Descrição
Esses dispositivos são projetados para circuitos indutivos de comutação de energia de alta tensão e alta velocidade, onde o tempo de queda é crítico. Eles são particularmente adequados para aplicações SWITCHMODE de 115 e 220 V
2 recursos
3 aplicações
| BVCB |
BVCE |
VCESAT (máx.) |
CI |
| 700 V |
480 V |
0,6 V |
1,0A |