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Transistor de Silício Epitaxial NPN 13003G5 TO-126

do transistor de silício epitaxial NPN :
Disponibilidade
Quantidade:
  • 13003G5

  • WXDH

Transistor de Silício Epitaxial NPN


1 Descrição

Esses dispositivos são projetados para circuitos indutivos de comutação de energia de alta tensão e alta velocidade, onde o tempo de queda é crítico. Eles são particularmente adequados para aplicações SWITCHMODE de 115 e 220 V 


2 recursos

  •  Saída de alta corrente até 1,0A 

  •  Baixa tensão de saturação

  •  Alta tensão 

  •  Alta confiabilidade 


3 aplicações

  •  Reguladores de comutação 

  •  Inversores 

  •  Controles Motores 

  •  Drivers solenóides/relés e circuitos de deflexão


BVCB BVCE VCESAT (máx.) CI 
700 V 480 V 0,6 V 1,0A



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